Multi‑Field Reactorの創造 ”1nmを超える半導体装置：原子状態工学と確率分布制御に基づく新しい装置パラダイム”
半導体製造が 1nm 領域に近づくにつれ、従来の「平均値を揃える」製造パラダイムは急速に限界を迎えつつあります。原子の 50〜70% が表面に位置し、局所構造・電場・ラジカル密度・温度勾配といった複数のフィールドが相互干渉する世界では、材料物性はもはや“平均値”ではなく“確率分布”によって支配されます。
本稿では、この相転移を前提に、原子状態そのものを制御対象とする新しい装置概念 Multi‑Field Reactor を提案します。これは、電場・表面電荷・ラジカル密度・温度勾配といった複数のフィールドを同時に制御し、原子状態の確率分布を設計するという、1nm 以降の製造に不可欠なアーキテクチャです。
なお、本文中に示す式及び図は概念理解を目的とした簡易式、簡易図であり、詳細な式、装置設計図や実験図ではありません。
