Multi‑Field Reactorの創造 ”1nmを超える半導体装置:原子状態工学と確率分布制御に基づく新しい装置パラダイム”
半導体製造が 1nm 領域に近づくにつれ、従来の「平均値を揃える」製造パラダイムは急速に限界を迎えつつあります。原子の 50〜70% が表面に位置し、局所構造・電場・ラジカル密度・温度勾配といった複数のフィールドが相互干… Multi‑Field Reactorの創造 ”1nmを超える半導体装置:原子状態工学と確率分布制御に基づく新しい装置パラダイム” の続きを読む